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FET 类型 N 沟道 技术

MOSFET（金属氧化物） 

漏源电压（Vdss） 20V 

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）

 驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5V Vgs（值） ±8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 423pF

 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10V FET 

功能 - 功率耗散（值） 500mW（Ta） 

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 70 毫欧 @ 2A，4.5V 

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 

安装类型 表面贴装 

供应商器件封装 SuperSOT-3 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3