类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 - 规格 FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 230mA（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 1mA Vgs（值） ±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 60pF @ 10V FET 功能 - 功率耗散（值） 700mW（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 14 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-92-3 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）