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【产品详细信息】 | |||
产品名称: | BSC600N25NS3G | 产品型号: | BSC600N25NS3G |
产品类别: | 集成电路- | 产品规格: | PG-TDSON-8 |
产品品牌: | Infineon | 生产厂家: | 马来西亚 |
产品说明: |
类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ 包装 ? 带卷(TR) ? 零件状态 在售 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 2350pF @ 100V Vgs(值) ±20V FET 功能 - 功率耗散(值) 125W(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 60 毫欧 @ 25A,10V 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PG-TDSON-8 封装/外壳 8-PowerTDFN |