深圳市汇创佳电子有限公司

类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ 包装 ? 带卷（TR） ? 零件状态 在售 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss） 250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2350pF @ 100V Vgs（值） ±20V FET 功能 - 功率耗散（值） 125W（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 60 毫欧 @ 25A，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PG-TDSON-8 封装/外壳 8-PowerTDFN