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驱动配置：低压侧通道类型：独立式驱动器数：2栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET电压 - 电源：4.5 V ~ 18 V逻辑电压?- VIL，VIH：0.8V，2.4V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.5A，1.5A输入类型：非反相上升/下降时间（典型值）：25ns，25ns工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC
